카이스트, 차세대 메모리 한계 넘을 ‘스마트 출입문’ 기술 개발
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국제 연구진이 차세대 반도체의 저장 용량과 성능 한계를 넘어설 수 있는 새로운 기술을 선보였다. 반도체 내부에서 전자의 이동을 상황에 맞게 조절하는 이른바 ‘스마트 출입문’ 구조를 구현해, 초고용량 메모리 기술의 경쟁력을 한층 끌어올릴 수 있을 것으로 기대된다. 카이스트는 조병진 전기및전자공학부 교수 연구진이 신소재를 활용해 반도체 소자 내 전자 흐름을 정
原文链接: 조선일보
